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J-GLOBAL ID：201002221942554043   整理番号：10A1090889

プラズマ化学気化加工による集束X線スペクトロメータのためのダメージフリー湾曲シリコン結晶基板の作製

Fabrication of Damage-free Curved Silicon Crystal Substrate for a Focusing X-ray Spectrometer by Plasma Chemical Vaporization Machining

著者 (7件)： HOSODA Mao (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UEDA Kazuaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAGANO Mikinori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ZETTSU Nobuyuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMADA Shoichi (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  TANIGUCHI Kazuo (Inst. X-ray Technol. Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  YAMAMURA Kazuya (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 447/448  ページ： 213-217  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 除去速度と描画精度の観点からSi基板用のプラズマ化学気化加工(PCVM)の加工特性を調べた。Johansson型形状を持つ二重湾曲結晶用の湾曲Si(111)基板を,数値制御PCVMにより作製した。その結果,湾曲半径499.8mmを持った円筒を作成し,湾曲半径誤差0.08%が得られた。

シソーラス用語： スペクトロメータ ,  発生 ,  蛍光X線分析 ,  *結晶 ,  *ウエハ【IC】 ,  *蒸発 ,  プラズマ化学反応
準シソーラス用語： *Si基板 ,  化学蒸気発生 ,  *湾曲結晶

分類 (1件)： その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ化学 ,  気化 ,  集束 ,  X線スペクトロメータ ,  ダメージ ,  湾曲 ,  シリコン結晶 ,  作製