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J-GLOBAL ID：201002223806014283   整理番号：10A0249015

コバルトとアルミニウムを同時ドーピングした二酸化スズ希釈磁性半導体における室温強磁性

Room-Temperature Ferromagnetism in Cobalt and Aluminum Co-Doping Tin Dioxide Diluted Magnetic Semiconductors

著者 (5件)： NING Xingzhi (Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ.) ,  LIU Xiaofang (Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ.) ,  YU Ronghai (Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ.) ,  SHI Ji (Dep. of Metallurgy and Ceramics, Tokyo Inst. of Technol.) ,  NAKAMURA Yoshio (Dep. of Metallurgy and Ceramics, Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 51  号： 3  ページ： 557-560 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングで,(100)シリコン基板上にSn_0.897Co_0.10Al_0.003O₂希釈磁性半導体膜を成長させ,次に1.5h,それぞれ300°Cと500°Cで焼なました。蒸着したまま膜に室温強磁性を観察した。焼なまし温度が上昇すると,飽和磁化(M_s)は低減し,500°Cで焼なました膜のM_s値は蒸着したまま膜の値の約半分だった。Sn_0.897Co_0.10Al_0.003O₂の電気抵抗率は,焼なまし温度が上昇すると,10⁶から10Ωmの範囲で低下した。不純物相及びCoクラスタは膜に存在しないことがXRD及びHRTEM観察から分り,膜の強磁性は内因性であることが示された。F中心介在交換モデルを採用し,膜の室温強磁性を説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強磁性 ,  コバルト ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  室温 ,  *飽和磁化 ,  *磁性半導体 ,  *酸化スズ ,  マグネトロンスパッタリング ,  コバルト化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  焼なまし ,  加熱温度 ,  電気抵抗率 ,  不純物 ,  金属クラスタ ,  スパッタ蒸着 ,  微細構造 ,  内因性 ,  *希薄磁性半導体 ,  共ドーピング
準シソーラス用語： *希釈磁性半導体 ,  同時ドーピング

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

引用文献 (21件)：

• DIETL, T. Science. 2000, 287, 1019-1022
• PAN, F. Mater. Sci. Eng. R. 2008, 62, 1-35
• SATO, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L555-L558
• PEARTON, S. J. Semicond. Sci. Technol. 2004, 19, R59-R74
• NGUYEN, H. H. J. Phys. B. 2005, 358, 265-268

タイトルに関連する用語 (6件)： コバルト ,  アルミニウム ,  同時ドーピング ,  二酸化スズ ,  希釈磁性半導体 ,  室温強磁性