光電子放出介助の化学蒸着によるSi及びSiO<sub>2</sub>基板上のネットワーク化ナノグラファイトの触媒フリー成長

TAKAMI Tomohide; TAKAMI Tomohide; OGAWA Shuichi; OGAWA Shuichi; SUMI Haruki; KAGA Toshiteru; SAIKUBO Akihiko; SAIKUBO Akihiko; IKENAGA Eiji; IKENAGA Eiji; SATO Motonobu; SATO Motonobu; NIHEI Mizuhisa; NIHEI Mizuhisa; TAKAKUWA Yuji; TAKAKUWA Yuji

文献

J-GLOBAL ID：201002223996461043 整理番号：10A0019439

光電子放出介助の化学蒸着によるSi及びSiO₂基板上のネットワーク化ナノグラファイトの触媒フリー成長

Catalyst-Free Growth of Networked Nanographite on Si and SiO₂ Substrates by Photoemission-Assisted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

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資料名：
巻： 7 ページ： 882-890 (J-STAGE) 発行年： 2009年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

直流放電プラズマが紫外光放射下での基板からの光電子放出により介助される,光電子放出介助のプラズマ増強化学蒸着(CVD)過程を開発した。真空,Ar気体雰囲気中,プラズマ電流を,光電流介助のプラズマが発生する機構の解明のため試料のバイアス電圧の関数として測定した。基板近傍で制御可能体積中発生する光電流放出介助プラズマCVDの利点により,ネットワークナノグラファイトの薄い黒膜の成長が低電力消費プラズマ(約4W)中でも約2μm/分の蒸着速度でSi(001)及びSiO₂基板上無触媒で可能である。断面透過型電子顕微鏡(TEM)及び回折(TED)観察から,Ar希釈CH₄を用いて約700°Cで成長する試料は互いに近接したそれらの間にグラフェン層が配分される多層黒鉛粒子(径約10μm)からなる(結晶学的配置はランダム配向)ことが示された。7933eVでのシンクロトロン放射を用いたバルク増感C 1s光電子スペクトルにおいて,sp²結合炭素原子が主体でπ-π^*遷移損失ピークは明瞭に両基板上成長試料で観測され,顕微Raman分光法により評定と一致して高品質のグラフェンシートを多層グラフェン粒子は含む。その層状炭素構造を「炭素Napoleonパイ」と呼んだ。(翻訳著者抄録)

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炭素とその化合物 , 無機化合物一般及び元素 , その他の無機化合物の薄膜 , 固-気界面一般

引用文献 (48件)：

[1] P. R. Wallace, Phys. Rev. 71, 622 (1947).
[2] A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Mater. 6, 183 (2007).
[3] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
[4] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
[5] T. Ohta, A. Bostwick, J. L. McChesney, T. Seyller, K. Horn, and E. Rotenberg, Phys. Rev. Lett. 98, 206802 (2007).

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光電子放出介助の化学蒸着によるSi及びSiO2基板上のネットワーク化ナノグラファイトの触媒フリー成長

光電子放出介助の化学蒸着によるSi及びSiO₂基板上のネットワーク化ナノグラファイトの触媒フリー成長