ユニポーラ抵抗RAMの挙動モデルとそのHSPICE集積化への適用

AKOU Nobuo; ASAI Tetsuya; YANAGIDA Takeshi; KAWAI Tomoji; AMEMIYA Yoshihito

文献

J-GLOBAL ID：201002225135628322 整理番号：10A1043703

ユニポーラ抵抗RAMの挙動モデルとそのHSPICE集積化への適用

A behavioral model of unipolar resistive RAMs and its application to HSPICE integration

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A1043703&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=U0039A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 7 号： 19 ページ： 1467-1473 (J-STAGE) 発行年： 2010年
JST資料番号： U0039A ISSN： 1349-2543 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

著者らは,ユニポーラ抵抗RAM(ReRAMs)の挙動モデルを提案する。このモデルは,ユニポーラReRAMsの3つの挙動特性を統合している。すなわち,i)過渡電圧パルスに対するON/OFF抵抗スイッチング特性,ii)電流コンプライアンスによるON/OFF抵抗スイッチングを示すI-V特性,および,iii)オン抵抗およびオフ閾値電流両方の電流コンプライアンス依存性。モデルを,いくつかの静的関数により3つの非線形微分方程式によって記述した。それにより,どのような数値シミュレータあるいは回路シミュレータのモデルにも適用することができる。例として,著者らは,HSPICE上にモデルを統合し,TiO₂薄膜のReRAMsから抽出された実験パラメタを使ってシミュレートした結果を示す。(翻訳著者抄録)

, , , , , ,
,

半導体集積回路

引用文献 (7件)：

[1] A. Sawa, “Resistive switching in transition metal oxides,” Materials Today, vol. 11, no. 6, pp. 28-36, June 2008.
[2] G. S. Snider, “Self-organized computation with unreliable, memristive nanodevices,” Nanotechnology, vol. 18, no. 36, 365202, Dec. 2007.
[3] M. Itoh and L. O. Chua, “Memristor oscillators,” Int. J. Bifurcation and Chaos, vol. 18, no. 11, pp. 3183-3206, Nov. 2008.
[4] M. Itoh and L. O. Chua, “Memristor cellular automata and memristor discrete-time cellular neural networks,” Int. J. Bifurcation and Chaos, vol. 19, no. 11, pp. 3605-3656, Nov. 2009.
[5] S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, and W. Lu, “Nanoscale memristor device as synapse in neuromorphic systems,” Nano Letters, vol. 10, no. 4, pp. 1297-1301, March 2010.

, , ,

前のページに戻る