閃光ランプアニーリングで形成した多結晶シリコン膜を利用した薄膜太陽電池のバック電極用材料の選択

OHDAIRA Keisuke; OHDAIRA Keisuke; FUJIWARA Tomoko; ENDO Yohei; SHIBA Kazuhiro; TAKEMOTO Hiroyuki; MATSUMURA Hideki

文献

J-GLOBAL ID：201002225356488959 整理番号：10A0491190

閃光ランプアニーリングで形成した多結晶シリコン膜を利用した薄膜太陽電池のバック電極用材料の選択

Selection of Material for the Back Electrodes of Thin-Film Solar Cells Using Polycrystalline Silicon Films Formed by Flash Lamp Annealing

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0491190&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0491190&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DP04.1-04DP04.3 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ミリ秒程度の持続時間をもつ高速アニーリング法である閃光ランプアニーリングでは,先行体の非晶質Si膜の結晶化によりガラス基板上に数μm厚の多結晶シリコン膜が形成され,基板への熱損傷が少ない。閃光ランプアニーリング過程でSi膜の剥れを避けるために,Si膜とガラス基板の間に挿入する吸着層として数種類の金属膜を選んだ。挿入金属の条件の一つは,アニーリング誘起結晶化時に金属膜が加熱される温度1414°Cより金属の融点が高いことである。検討した金属膜では,石英より熱膨張係数が遥かに大きいソーダ石灰ガラス基板からのSi膜の剥れの防止には,Cr膜だけが有効であった。この結果は,ガラスとシリコンへの十分な付着性と高融解点金属の必要性を示唆する。閃光ランプ結晶化したポリSi膜を吸収層とし,Cr膜を背面電極とする系で,実際に太陽電池動作を実証した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , , , , ,
,

太陽電池

引用文献 (11件)：

M. J. Keevers, T. L. Young, U. Schubert, and M. A. Green: Proc.22nd European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2007, p. 1783, and references therein.
K. Ohdaira, Y. Endo, T. Fujiwara, S. Nishizaki, and H. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.46(2007)7603.
K. Ohdaira, T. Fujiwara, Y. Endo, S. Nishizaki, and H. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)8239.
K. Ohdaira, T. Fujiwara, Y. Endo, S. Nishizaki, and H. Matsumura: J. Appl. Phys.106(2009)044907.
K. Ohdaira, H. Takemoto, K. Shiba, and H. Matsumura: Appl. Phys. Express 2(2009)061201.

, , , , ,

前のページに戻る