文献
J-GLOBAL ID:201002225516560902   整理番号:10A0858065

改良型深堀反応イオンエッチングによるマイクロ/ナノ二重スケール構造の製作

Fabrication of micro/nano dual-scale structures by improved deep reactive ion etching
著者 (6件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 075028,1-9  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: W1424A  ISSN: 0960-1317  CODEN: JMMIEZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
近年,超疎水表面を実現する二重スケール階層構造に注目が集まっている。しかし,そのような構造の超疎水安定性を確保し,微細加工における各製作法組み合わせ性限界を緩和することは大きな課題である。本論文では,黒色シリコンおよび側壁制御可能DRIEプロセスによるマイクロ/ナノ二重スケール階層構造の構築につき報告した。黒色シリコンプロセスを用いてナノチップ高密度アレイのウエハスケール製作を実現した。接触角および光学的反射率測定値は製作構造が安定な疎水性と強い反射防止特性を有することを示した。今後の課題は二重スケール階層構造における各スケールの役割をより良好に理解するため,マイクロ,ナノ,マイクロ/ナノ構造における液体スリップ,非ぬれ安定性,光学透過,吸収特性に関するテストを実行することである。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る