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J-GLOBAL ID：201002226521012936   整理番号：10A0565077

p型シリコンにおけるマクロポアと3次元ナノロッドアレイの形成

Formation of Macropore and Three-Dimensional Nanorod Array in p-Type Silicon

著者 (8件)： KIM Kang-Pil (Daegu-Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  LI Shiqiang (Northwestern Univ., IL, USA) ,  LYU Hong-Kun (Daegu-Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  WOO Sung-Ho (Daegu-Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  LIM Sang Kyoo (Daegu-Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  CHANG Daeic (Daegu-Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol., Daegu, KOR) ,  OH Hwa Sub (Korea Photonics Technol. Inst., USA) ,  HWANG Dae-Kue (Daegu-Gyeongbuk Inst. Sci. and Technol., Daegu, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 1  ページ： 056503.1-056503.4  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型シリコンにおける電流密度に依存する細孔壁の変化について調べた。フッ化水素(HF)有機電解質組成およびマスクパターン設計の最適化によって,電気化学的エッチングによる高アスペクト比を持つ一様なマクロポアとナノロッドアレイの形成を試みた。HF,ジメチルサルフォキシド(DMSO),非電離(DI)水=1:5:5電解質におけるp型シリコンの電気化学的エッチングによって,DI水のプロトン性とDMSOの非プロトン性の混合を通じてシリコンの電気化学的エッチングに必要な電解質とホール間の反応速度を制御することが可能になる。本研究では,最適化HF:DMSO:DI水=1:5;5電解質組成を用いて,1.8cm²円形領域に2段階電流(40mA,200s+38mA,1600s)を印可することにより,マクロ細孔性Siから約350nm直径を持つ3次元構造のp型シリコンナノロッドアレイを作製した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *P型半導体 ,  配列 ,  *ナノロッド ,  アスペクト比 ,  電解エッチング ,  *多孔性 ,  細孔 ,  ケイ素 ,  フッ化水素 ,  脂肪族化合物 ,  スルホキシド
準シソーラス用語： ナノロッドアレイ ,  高アスペクト比 ,  マクロポーラス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ジメチルスルホキシド

引用文献 (13件)：

• A. Vyatkin, V. Starkov, V. Tzeitlin, H. Presting, J. Konle, and U. Konig: J. Electrochem. Soc.149(2002) G70.
• X. G. Zhang: J. Electrochem. Soc.151(2004) C69.
• V. Lehmann and H. Foll: J. Electrochem. Soc.137(1990)653.
• V. Lehmann: J. Electrochem. Soc.140(1993)2836.
• P. Kleimann, X. Badel, and J. Linnros: Appl. Phys. Lett.86(2005)183108.

タイトルに関連する用語 (4件)： p型シリコン ,  マクロポア ,  3次元 ,  ナノロッドアレイ