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J-GLOBAL ID：201002226787032410   整理番号：10A0490949

高性能pチャンネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)用の低珪化物/p⁺-珪素Schottky障壁による低接触抵抗

Low Contact Resistivity with Low Silicide/p⁺-Silicon Schottky Barrier for High-Performance p-Channel Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistors

著者 (6件)： TANAKA Hiroaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ISOGAI Tatsunori (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GOTO Tetsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TERAMOTO Akinobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWA Shigetoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI Tadahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DA03.1-04DA03.5  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路の性能向上のためにはpチャンネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の電流駆動能を改善する必要である。本論文では,Pd₂Siを用いてp型珪素に対して接触抵抗が小さく,Schottky障壁高の低い,不可欠なCMOS回路を作製するための重要な技術を示した。珪素上にPd₂SiゲートSchottky障壁ダイオードとKelvinパターンを作製した。測定したSchottky障壁高さはp型珪素に対して0.29eVであった。また,珪素のp⁺領域で3.7×10^-9Ωcm²の低接触抵抗率を実現した。Pd₂Siソース/ドレイン接触を持つpチャンネルMOSFETは良好な特性(小さなオフ電流)を示した。開発した技術はpチャンネルMOSFETのソース/ドレイン接触用の珪化物形成を含み,MOSFETの性能向上を実現すると期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  半導体 ,  ケイ化物 ,  パラジウム化合物 ,  ケイ素 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *Schottky障壁 ,  P型半導体 ,  *接触抵抗 ,  CMOS
準シソーラス用語： 珪化パラジウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (21件)：

• S. Thompson, P. Packan, T. Ghani, M. Stettler, M. Alavi, I. Post, S. Tyagi, S. Ahmed, S. Yang, and M. Bohr: VLSI Symp. Tech. Dig., 1998, p. 132.
• T. Ohmi, A. Teramoto, R. Kuroda, and N. Miyamoto: IEEE Trans. Electron Devices 54(2007)1471.
• S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981) 2nd ed., p. 245.
• I. Ohdomari and K. Suguro: Shinku 22(1979)411 [in Japanese].
• P. S. Ho and K. N. Tu: Thin Films and Interfaces (North-Holland, New York, 1982) p. 3.

タイトルに関連する用語 (9件)： 高性能 ,  チャンネル ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET ,  珪化物 ,  珪素 ,  Schottky障壁 ,  接触抵抗