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J-GLOBAL ID：201002227355057329   整理番号：10A0772332

HfO₂/SiO₂/Si(100)スタック構造の中へのMg拡散のキャラクタリゼーションと欠陥状態密度に対するそのインパクト

Characterization of Mg Diffusion into HfO₂/SiO₂/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities

著者 (5件)： OHTA Akio (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  KANME Daisuke (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI Hideki (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 189-194  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジピバロイルメタン(DPM)先駆物質を用いたMOCVDにより温度成長SiO₂/Si(100)上で,~1nm厚MgOおよび~4nm厚HfO₂から構成されるスタック構造を形成し,このスタック構造の中での界面反応上のN₂アニールと欠陥状態密度の影響について調べた。XPS計測中の正電荷の充電とは非依存にAugerパラメータを用いることにより,Mg原子の化学結合特徴の評価を行った。HfO₂へのMgの組み込みにより,Mgの酸化数における若干の減少が検出可能になった。その結果,C-V特徴から観測される平坦結合電圧シフトの減少に対してその原因となり得るHfO₂における近酸素原子価の形でMg原子が選好的に組み込まれることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ハフニウム ,  二酸化ケイ素 ,  マグネシウム ,  拡散 ,  *MOCVD ,  積層構造 ,  状態密度 ,  欠陥 ,  *光電子放出 ,  *ゲート【半導体】
準シソーラス用語： Mg拡散 ,  スタック構造 ,  二酸化ハフニウム ,  欠陥状態密度

分類 (3件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  光電子放出  (BM09030D) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： HfO2 ,  SiO2 ,  Si ,  スタック ,  Mg ,  拡散 ,  キャラクタリゼーション ,  欠陥 ,  状態密度 ,  インパクト