文献

J-GLOBAL ID：201002227380346467   整理番号：10A0054066

超薄ポリマーゲート緩衝層をもつペンタセン薄膜トランジスターのN-チャネル操作

N-channel operation of pentacene thin-film transistors with ultrathin polymer gate buffer layer

著者 (4件)： NODA Kei (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  TANIDA Shinji (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  KAWABATA Hiroshi (National Inst. of Sci. and Technol. Policy, Ministry of Education, Culture, Sports, Sci. and Technol., Kasumigaseki ...) ,  MATSUSHIGE Kazumi (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 160  号： 1-2  ページ： 83-87  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)ゲート緩衝層と金ソース-ドレーン電極をもつペンタセン薄膜トランジスターのN-チャネル操作を観測した。SiO₂ゲート絶縁体上に8nm厚みのPMMA緩衝層をもつペンタセン薄膜トランジスターを合成し,真空度0.1Paにおいて5.3×10^-2cm²/(Vs)と0.21cm²/(Vs)の電子とホール電場効果移動度をそれぞれ得た。高仕事関数をもつ金電極を用いる代わりに,電子移動度は従来の研究と比較して著しく改善した。何故なら,超薄PMMA膜はSiO₂表面上での電子捕捉を減少し,適用ゲート電圧により電子集積を増大するためである。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ゲート【半導体】 ,  *バッファ層 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  超薄膜 ,  *チャネル ,  電子 ,  正孔 ,  *キャリア移動度 ,  金電極 ,  仕事関数 ,  *キャリア捕獲 ,  ポリアセン

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリマー ,  ゲート ,  緩衝層 ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスター ,  チャネル