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J-GLOBAL ID：201002229702095123   整理番号：10A1124120

複合的気相エピタキシャル成長させたGaN自立基板上に形成したSchottky障壁ダイオードのほぼ理想的な電流-電圧特性

Nearly Ideal Current-Voltage Characteristics of Schottky Barrier Diodes Formed on Hydride-Vapor-Phase-Epitaxy-Grown GaN Free-Standing Substrates

著者 (7件)： SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YAMAJI Kazuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HAYASHI Yuichirou (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SHIMOYAMA Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  NAMITA Hideo (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN) ,  NAGAO Satoru (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 10  ページ： 101003.1-101003.3  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全ドナー濃度7.6×10¹⁵~1.4×10¹⁷cm^-3を持つGaN(0001)自立基板上に作成したSchottky障壁ダイオードの電流-電圧特性について議論した。基板は複合的気相エピタキシャル法により成長させた。基板上の化学機械研摩されたGa極性面上にニッケルのSchottky接触が直接形成された。両方向に対してほぼ理想的な特性が得られた。順方向特性の理想因子は1.02~1.05で,1に非常に近い値であった。逆方向特性は,熱電子電界放出理論に基づく計算とフィッティングパラメータを使わずに良い一致を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  化学研磨 ,  熱電子放出 ,  電界放出 ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： 気相エピタキシャル成長

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (21件)：

• DANG, G. T. IEEE Trans. Electron Devices. 2000, 47, 692
• MATOCHA, K. IEEE Trans. Electron Devices. 2005, 52, 6
• POROWSKI, S. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G1.3
• INOUE, T. Phys. Status Solidi B. 2001, 223, 15
• YAMANE, H. J. Cryst. Growth. 1998, 186, 8

タイトルに関連する用語 (5件)： 気相エピタキシャル成長 ,  GaN ,  自立 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電圧特性