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J-GLOBAL ID：201002230149369129   整理番号：10A0565028

光電子集積回路用のベンゾシクロブテンを埋込んだSiスロットリング共振器の非熱的波長特性

Athermal Wavelength Characteristics of Si Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene for Optoelectronic Integrated Circuits

著者 (4件)： ATSUMI Yuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  INOUE Keita (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 1  ページ： 050206.1-050206.3  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロニクスに用いられる低k材料ベンゾシクロブテン(BCB)を埋込んだ非熱的Siスロット導波リング共振器を提案した。BCB充填間隙を90nmに制御して,Siスロット導波路の等価屈折率の温度係数を3.70×10^-6に低減できた。これは通常のSi導波路のそれよりも二桁小さい。SiO₂被覆層を持つ通常のSiワイヤ導波路,BCB被覆層を持つSiワイヤ導波路,BCB被覆層を持つSiスロット導波路の製作した素子の温度へのピーク波長シフトの依存性はそれぞれ26,17,-0.6pm/Kであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リング共振器 ,  *スロット導波管 ,  屈折率 ,  温度係数 ,  被覆層 ,  *周波数シフト ,  光導波路 ,  光集積回路
準シソーラス用語： *波長シフト

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

物質索引 (1件)： ベンゾシクロブテン

引用文献 (17件)：

• ITRS Report (2007).
• F. Grillot, L. Vivien, S. Laval, and E. Cassan: J. Lightwave Technol.24(2006)891.
• T. Tsuchizawa, K. Yamada, H. Fukuda, T. Watanabe, J. Takahashi, M. Takahashi, T. Shoji, E. Tamechika, S. Itabashi, and H. Morita: IEEE J. Scl. Top. Quantum Electron.11(2005)232.
• A. Fang, H. Park, Y. Kuo, R. Jones, O. Cohen, D. Liang, O. Raday, M. Sysak, M. Paniccia, and J. Bowers: Mater. Today 10(2007) Nos.7-8.28.
• I. Kiyat, A. Aydinli, and N. Dagli: Opt. Express 13(2005)1900.

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子集積回路 ,  ベンゾシクロブテン ,  埋込 ,  Si ,  スロット ,  リング共振器 ,  波長