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J-GLOBAL ID：201002232280743160   整理番号：10A0491073

InGaAs/InAlAs5層非対称結合量子井戸における電気屈折効果に対するヘテロ界面急峻性の影響

Influence of Heterointerface Abruptness on Electrorefractive Effect in InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well

著者 (4件)： ISERI Yuji (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  ARAKAWA Taro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA Kunio (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HANEJI Nobuo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DG04.1-04DG04.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/InAlAs5層非対称結合量子井戸(FACOW)は大きな電気屈折率変化を生成することが期待され,高性能位相変調のための有望な構造である。しかしながら,FACOWは極薄層から構成されるので,ヘテロ界面における不十分なけわしさが電気屈折効果を低下させる可能性がある。そのために,我々はFACOWにおけるヘテロ界面のけわしさがFACOWの電気屈折効果に及ぼす影響を理論的に調べた。解析では,ヘテロ界面における組成プロファイルが指数関数的であり,遷移層の厚さLが定義されると仮定した。Lの増大とともに,吸収端は青方偏移し,この青方偏移は特にL≧3単層(ML)の場合にはFACOWの電気屈折率の変化を低下させる。さらに,改善されたFACOW構造を提案した。この構造はL=3MLの場合でも大きな電気屈折率を示すことが期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  多層膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *界面 ,  *屈折率 ,  *電場効果 ,  勾配 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム ,  ヘテロ界面

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (15件)：

• H. Yamazaki, T. Yamada, K. Suzuki, T. Gob, A. Kaneko, A. Sano, E. Yamada, and Y. Miyamoto: Abstr. European Conf. Optical Communication (ECOC 2008), 2008, Mo.3. C.1.
• H. Feng, J. P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada, and Y. Nakano: IEEE J. Quantum Electron.34(1998)1197.
• T. Suzuki, T. Arakawa, K. Tada, Y. lmazato, J.-H. Nob, and N. Haneji: ipn. J. Appl. Phys.43(2004) L1540.
• T. Arakawa, T. Toya, K. Yamaguchi, T. Uchimura, J.-H. Noh, and K. Tada: 9th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM ’07), 2007, PB 13.
• T. Arakawa, K. Takada, F. Tadano, T. Arima, J.-H. Nob, and K. Tada: Conf. Lasers and Electro-Optics (CLEO ’07), 2007, CMP3.

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  非対称 ,  結合量子井戸 ,  屈折 ,  ヘテロ界面