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J-GLOBAL ID：201002234053787685   整理番号：10A0898685

Cl₂/ArおよびBCl₃/Ar誘導結合プラズマ中のY₂O₃薄膜のエッチング挙動に及ぼすガス混合比の効果

Effect of Gas Mixing Ratio on Etch Behavior of Y₂O₃ Thin Films in Cl₂/Ar and BCl₃/Ar Inductively Coupled Plasmas

著者 (7件)： KIM Moonkeun (Korea Univ., Chungnam, KOR) ,  EFREMOV Alexander (State Univ. Chemistry and Technol., Ivanovo, RUS) ,  HONG MunPyo (Korea Univ., Chungnam, KOR) ,  MIN Nam Ki (Korea Univ., Chungnam, KOR) ,  PARK Hyung-Ho (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  BAEK Kyu-Ha (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  KWON Kwang-Ho (Korea Univ., Chungnam, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 2  ページ： 08JB04.1-08JB04.6  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cl₂/ArおよびBCl₃/Ar誘導結合プラズマ中のY₂O₃薄膜のエッチングの特徴と機構を解析した。BCl₃/Arプラズマはより大きなエッチング速度を示し,エッチング速度はAr混合比に対して非線形的に変化した。ラングミュラープローブを用いてプラズマ診断を行ったところ,Ar混合比は電子温度および正イオンの全密度にかなり影響した。プラズマ化学およびエッチ運動のモデル解析により,Y₂O₃の両ガス中でのエッチ率の挙動は一般に,イオンアシスト化学反応の中性フラックス極限エッチング領域に対応することを明らかにした。BCl₃プラズマ中でのエッチング運動は,BCl_xラジカルに大きく影響する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 誘導結合プラズマ ,  *酸化イットリウム ,  *プラズマエッチング ,  *混合気体 ,  アルゴン ,  塩素 ,  塩化物 ,  ホウ素化合物 ,  *混合比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (30件)：

• E. K. Evangelou, C. Wiemer, M. Fanciulli, M. Sethu, and W. Cranton: J. Appl. Phys.94(2003)318.
• K.-H. Kwon, C. K. Lee, J.-K. Yang, S. G. Choi, H. J. Chang, H. Jeon, and H.-H. Park: Microelectron. Eng.85(2008)1781.
• C. K. Lee and FL-H. Park: J. Korean Phys. Soc.46(2005)254.
• J. D. B. Bradley, F. Ay, K. Wörhoff, and M. Polllnau: Appl. Phys. B 89(2007)311.
• Y.-C. Kim and C.-I. Kim: J. Vac. Sci. Technol. A 19(2001)2676.

タイトルに関連する用語 (7件)： Ar ,  誘導結合プラズマ ,  Y2O3 ,  薄膜 ,  エッチング ,  挙動 ,  混合比