文献

J-GLOBAL ID：201002234388129089   整理番号：10A0581329

高周波数応用に向けた新規な溶液過程によるスピネル型フェライト膜

Spinel ferrite films by a novel solution process for high frequency applications

著者 (6件)： SUBRAMANI A.k. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama, JPN) ,  KONDO K. (NEC Tokin Corp., 6-7-1, Koriyama, Taihaku-ku, Sendai, Miyagi, 982-8510, JPN) ,  TADA M. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1, Ookayama Meguro, Tokyo 152-8552, JPN) ,  ABE M. (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1, Ookayama Meguro, Tokyo 152-8552, JPN) ,  YOSHIMURA M. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama, JPN) ,  MATSUSHITA N. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama, JPN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 123  号： 1  ページ： 16-19  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サンプルと湿式化学過程により,高周波数デバイスに応用可能な高結晶性スピネル型MnZnフェライトを調製した。錯化剤としてデキストランを用い,安定な前駆体溶液を調製した。こうして調製した溶液を,回転テーブル上に固定した基板へ噴霧した。反応温度90°Cと,前駆体溶液の少しアルカリ性のpHがMnZnフェライト膜生成に適当である。膜のZn濃度の変更により,実透磁率と複素透磁率(μ′とμ′′)及び共鳴周波数(f_r)を調節できた。膜は大きな磁損を示すので,電磁適合性(EMC)材料として使え,モバイルコンピュータや携帯電話の伝導雑音を効果的に抑制できる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 磁損 ,  コンピュータ ,  電磁両立性 ,  *フェライト ,  *マンガン化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スピネル型結晶 ,  結晶度 ,  HF【周波数】 ,  半導体素子 ,  *処理 ,  基板 ,  噴霧 ,  デキストラン ,  試薬 ,  前駆体 ,  溶液 ,  反応温度 ,  pH【水素イオン指数】 ,  濃度依存性 ,  透磁率 ,  共振周波数 ,  携帯電話 ,  雑音低減
準シソーラス用語： デバイス ,  *マンガン亜鉛フェライト ,  モバイルコンピュータ ,  *化学処理 ,  共鳴周波数 ,  高周波数 ,  錯化剤 ,  *湿式処理 ,  複素透磁率

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波数 ,  応用 ,  溶液 ,  過程 ,  スピネル型フェライト