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J-GLOBAL ID：201002236187535855   整理番号：10A0523670

リン組み込みによるSiO₂/4H-SiC(0001)界面における界面近傍トラップの除去

Removal of near-interface traps at SiO₂/4H-SiC (0001) interfaces by phosphorus incorporation

著者 (4件)： OKAMOTO Dai (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  YANO Hiroshi (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 20  ページ： 203508  発行年： 2010年05月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン組み込みを通してのSiO₂/4H-SiC(0001)構造における界面近傍トラップ(NIT)の効果的な除去を本論文において実証した。低温容量-電圧及び熱誘電緩和電流測定を用いて,ドライ酸化,NOアニーリング,及びPOCl₃アニーリングにより作製した酸化物におけるNITを研究した。両測定とも,POCl₃アニール酸化物におけるNITにトラップされた電子密度が,ドライ及びNOアニール酸化物におけるそれより小さいことを明らかにした。NITの劇的な除去は,界面状態密度を低減し,4H-SiC金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるチャネル移動度を高めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  *酸化ケイ素 ,  容量電圧特性 ,  誘電緩和 ,  酸化 ,  アニーリング【現象】 ,  *リン ,  ドーピング ,  移動度
準シソーラス用語： *界面トラップ ,  界面状態

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (6件)： リン ,  組み込み ,  SiO2 ,  界面 ,  界面近傍 ,  トラップ