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J-GLOBAL ID：201002236662865016   整理番号：10A0157162

歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ

Planar-type all optical switches using GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers

著者 (4件)： 北田貴弘 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ) ,  高橋朋也 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ) ,  森田健 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ) ,  井須俊郎 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 フロンティア研究セ)
資料名： 電気学会電磁界理論研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EMT-10  号： 1-7.10-22.24-55  ページ： 85-88  発行年： 2010年01月28日 
JST資料番号： Z0909A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs/AlAs多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製した。共振器層には,高い非線形性と高速なキャリア緩和を実現できる歪緩和In_0.35Ga_0.65Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドットを用いた。100fsの超短パルスレーザ光を用いたポンプ・プローブ法により,共振器モード(λ=1.46μm)における時間分解光学測定を室温にて行った。共振器層に2層の量子ドットを挿入しているだけにもかかわらず,量子ドットの過飽和吸収効果による大きな透過率変化が明瞭に観測された。透過率変化の時間プロファイルは,格子歪緩和に起因した非輻射緩和過程による高速(~16ps)な緩和成分が支配的であった。この量子ドット共振器試料からの光カー信号は,量子ドットを有さないGaAsを共振器層とする試料に比較して60倍もの強度を示した。応答速度は1ps以下と超高速であり,共振器内の光子寿命で決定付けられていることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： 光通信 ,  計算機網 ,  *光スイッチ ,  ヒ化インジウム ,  量子ドット ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化アルミニウム ,  *多層膜 ,  *光共振器 ,  Kerr効果 ,  MBE成長 ,  透過率 ,  格子歪
準シソーラス用語： 全光ネットワーク ,  *全光スイッチ ,  歪緩和 ,  バリア層

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪緩和 ,  バリア層 ,  InAs量子ドット ,  GaAs ,  AlAs ,  多層膜 ,  光共振器 ,  全光スイッチ