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J-GLOBAL ID：201002237687170698   整理番号：10A0133793

ガラス基板上の大顆粒多結晶シリコン薄膜の残留ガスの除去

Gettering in Large-Grained Thin Polycrystalline Silicon Films on Glass Substrate

著者 (2件)： HARA Akito (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN) ,  SATO Tsutomu (Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 1,Issue 1  ページ： 010203.1-010203.2  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上の大顆粒多結晶シリコン(ボリ-Si)薄膜は,ボリ-Si薄膜トランジスタ(TFT)とボリ-Si太陽光電池を製作するための良い候補材である。ボリ-Si薄膜での金属不純物の残留ガスの除去は,高性能,高信頼性,高効率TFTと太陽電池を実現させるため重要な技術の1つである。この研究室で,Ni不純物を含む厚さ100nmの大顆粒ボリ-Si薄膜の残留ガス除去を研究した。Ni誘導固相結晶化(SPC)とこれに続く連続波グリーンレーザ再結晶によってNiドープした大顆粒ポリ-Si薄膜をガラス基板上に作った。ポリ-Si薄膜の結晶粒は,1×10μm²であった。大顆粒ボリ-Si薄膜のNi不純物の挙動を透過電子顕微鏡検査(STEM),STEMエネルギー分散型X線分光(STEM-EDX),及び,電子回折(ED)解析によって評価した。低温装置製作の間にトリプル接合部でNiが二けい化ニッケル(NiSi₂)の形成を通して安定することを観察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  多結晶 ,  顆粒 ,  ガラス ,  基板 ,  *ゲッタリング ,  太陽電池 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  X線分光分析 ,  電子回折 ,  ニッケル ,  ポリシリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (7件)：

• R. C. Cammarata, C. V. Thompson, C. Hayzelden, and K. N. Tu: J. Mater. Res.5(1990)2133.
• C. Hayzelden and J. L. Batstone: J. Appl. Phys.73(1993)8279.
• A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Yoshino, K. Suga, and N. Sasaki: Dig. Tech. Int. Workshop Active-Matrix Liquid-Crystal Displays-TFT Technologies and Related Materials-, Tokyo, 2001, p. 227.
• A. Hara, Y. Mishima, T. Kakehi, F. Takeuchi, M. Takei, K. Yoshino, K. Suga, M. Chida, and N. Sasaki: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 747.
• A. Hara, M. Takei, F. Takeuchi, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, T. Kakehi, Y. Ebiko, Y. Sano, and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)1269.

タイトルに関連する用語 (5件)： ガラス基板 ,  顆粒 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  残留ガス