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J-GLOBAL ID：201002237907741268   整理番号：10A0710794

スルホン酸型有機超酸に基づく193nmのリソグラフィー用フッ素代替光酸発生

Fluorine-free Photoacid Generators for 193nm Lithography Based on Non-Sulfonate Organic Superacids

著者 (3件)： GLODDE Martin (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  LIU Sen (IBM STG/SRDC, NY, USA) ,  VARANASI Pushkara Rao (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 23  号： 2  ページ： 173-184  発行年： 2010年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 193nmリソグラフィー用のフッ素代替光酸発生(PAGs)の新規な化合物群を導入した。これらのPAGはペルシアノ置換シクロペンタジエニドアニオンに基づき,スルホン酸基を含んでいない。これら弱い配位アニオンを有するPAGは,ペルフルオロアルキルスルホン酸類と同程度の強度の光酸を生成する。トリフェニルスルホニウムペンタシアノシクロペンタジエニド(TPS CN5)は,安価な前駆体から合成することが可能で,強酸存在下で安定であり,193nmで低い光学密度をもち,代表的なレジスト溶剤中で可溶である。TPS CN5が配合されているモデルレジストの性能は,32nmノード用の市販フォトレジストの性能に匹敵する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸 ,  *リソグラフィー ,  *フッ素 ,  *スルホン酸 ,  真空紫外線 ,  *フォトレジスト ,  前駆体 ,  *光酸発生剤 ,  化学増幅レジスト ,  置換基効果 ,  二硫化炭素 ,  光吸収 ,  吸収係数 ,  光化学反応 ,  回路パターン形成 ,  光重合型樹脂 ,  半導体プロセス ,  微細加工 ,  芳香族化合物
準シソーラス用語： 32nmノード ,  光硬化性樹脂 ,  超酸

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (14件)： 1,4-ジチインテトラカルボニトリル ,  1-(メトキシカルボニル)-2,3,4,5-テトラシアノシクロペンタジエニド ,  1-オクタンスルホン酸 ,  2,2′-ジチオビス[3-(ソジオチオ)マレオニトリル] ,  4-ニトロ-5-クロロチオフェン-2-スルホン酸 ,  p-トルエンスルホン酸 ,  カンファースルホン酸 ,  シアノジチオぎ酸ナトリウム ,  シアノ酢酸メチル ,  ビス(ソジオチオ)マレオニトリル ,  ペンタシアノシクロペンタジエニド ,  ペンタシアノシクロペンタジエニド・ナトリウム ,  トリフェニルスルホニウム・1-(メトキシカルボニル)-2,3,4,5-テトラシアノシクロペンタジエニド ,  トリフェニルスルホニウム・ペンタシアノシクロペンタジエニド

引用文献 (23件)：

• H. Ito, Adv. Polym. Sci.172(2005)37
• H. Ito, C. G. Willson, Polym. Eng. Sci.23(1983)1012.
• G. Wallraff, B. Hinsberg, Chem. Rev.99(1999)1801.
• a) H. Yamamoto, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 23(6)(2005)2728; b) H. Yamamoto, et al., Jpn. J. Appl. Phys.44(2005)5836; c) H. Yamamoto, et al., Jpn. J. Appl. Phys.46(2007) L142.
• “Fluorochemicals go short”, Chem. Eng. News 88(5)(2010)12.

タイトルに関連する用語 (6件)： スルホン酸 ,  超酸 ,  リソグラフィー ,  フッ素 ,  代替 ,  酸