抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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近年ますます進歩する電子機器の小型化,多機能化,高性能化に伴いデバイスの3次元積層やシステムインパッケージ技術が開発されている。シリコン貫通ビアなどの貫通配線も,基板に対してほぼ垂直の線状形状から任意の形状で貫通配線ができるようにする技術である。フェムト秒レーザーに対して透明な材料に,基板内部に焦点を結ぶように集光照射すると材料の改質が起き,それをフッ化水素酸にさらしてエッチングすることにより,クランク形状やY字形状の微細孔を開けることができた。この微細孔に導体を充填するため,溶融金属吸引法を用いてAu-Snを充填した結果完全充填でき,ボイドなどは認められなかった。インターポーザへの応用として圧力センサを試作し,問題なく動作することを確認した。更に通常のプリント基板に実装したものと比較し,温度に対する変化量が半分程度であった。これはインターポーザの基板材料の線熱膨張係数がプリント基板材料のそれより小さいためと考えられる。