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J-GLOBAL ID：201002238837448220   整理番号：10A0464918

バンドギャップエンジニアリングを用いた低漏れ電流のサブ1nm EOTLa-Al-O高kゲート誘電体

Sub-1 nm EOT La-Al-O higher-k gate dielectrics with low leakage current using band gap enginieering

著者 (10件)： ARIMURA Hiroaki (Osaka Univ.) ,  ANDO Takashi (IBM T. J. Watson Res. Center) ,  ANDO Takashi (Osaka Univ.) ,  BROWN Stephen L. (IBM T. J. Watson Res. Center) ,  KELLOCK Andrew (IBM Almaden Res. Center) ,  CALLEGARI Alessandro (IBM T. J. Watson Res. Center) ,  COPEL Matthew (IBM T. J. Watson Res. Center) ,  HAIGHT Richard (IBM T. J. Watson Res. Center) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ.) ,  NARAYANAN Vijay (IBM T. J. Watson Res. Center)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19A-P11-17  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  誘電体薄膜 ,  漏れ電流 ,  スパッタ蒸着 ,  *紫外吸収スペクトル ,  膜厚 ,  MOSFET ,  *CMOS構造 ,  光学ギャップ ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  *アルミン酸ランタン ,  ゲート誘電体 ,  高k誘電体 ,  真空紫外電子分光法 ,  等価酸化膜厚 ,  *EOT

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 漏れ電流 ,  サブ ,  Al ,  ゲート誘電体