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J-GLOBAL ID：201002239798775508   整理番号：10A0812875

GaNとZnO回路基板物質上に製作されたInGaN太陽電池の変換効率の調査

Investigation on the conversion efficiency of InGaN solar cells fabricated on GaN and ZnO substrates

著者 (6件)： INOUE S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KATOH M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI A. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHTA J. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUJIOKA H. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUJIOKA H. (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 4  号： 3/4  ページ： 88-90  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  ZnO ,  回路基板 ,  物質 ,  製作 ,  InGaN ,  太陽電池 ,  変換効率 ,  調査