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J-GLOBAL ID：201002239972847149   整理番号：10A0822939

GaAs(001)表面上に固定されたパラジウム触媒の硬X線光電子放出分光法による調査

Hard x-ray photoemission spectroscopic investigation of palladium catalysts immobilized on a GaAs(001) surface

著者 (19件)： SHIMODA M. (Photocatalytic Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-2-1, Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  KONISHI T. (Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki, Minobayashi-cho, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  TATEISHI K. (Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki, Minobayashi-cho, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  TOUJYOU T. (Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki, Minobayashi-cho, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  TSUKAMOTO S. (Anan National Coll. of Technol., 265 Aoki, Minobayashi-cho, Anan, Tokushima 774-0017, JPN) ,  NISHIWAKI N. (School of Environmental and Engineering, Kochi Univ. of Technol., Tosayamada, Kami, Kochi 782-8502, JPN) ,  ARISAWA M. (Fac. of Pharmaceutical Sci., Hokkaido Univ., Kita 12, Nishi 6, Kita-ku, Sapporo 060-0812, JPN) ,  HOSHIYA N. (Fac. of Pharmaceutical Sci., Hokkaido Univ., Kita 12, Nishi 6, Kita-ku, Sapporo 060-0812, JPN) ,  SHUTO S. (Fac. of Pharmaceutical Sci., Hokkaido Univ., Kita 12, Nishi 6, Kita-ku, Sapporo 060-0812, JPN) ,  ISOMURA N. (Nippon Inst. of Technol., 4-1 Gakuendai, Miyashiro, Minamisaitama, Saitama 345-8501, JPN) ,  YOKOTA H. (Nippon Inst. of Technol., 4-1 Gakuendai, Miyashiro, Minamisaitama, Saitama 345-8501, JPN) ,  FURUKAWA Y. (Nippon Inst. of Technol., 4-1 Gakuendai, Miyashiro, Minamisaitama, Saitama 345-8501, JPN) ,  IIZUKA K. (Nippon Inst. of Technol., 4-1 Gakuendai, Miyashiro, Minamisaitama, Saitama 345-8501, JPN) ,  OGIWARA T. (Materials Analysis Station, National Inst. for Materials Sci., 1-2-1, Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  ISOZAKI Y. (Materials Analysis Station, National Inst. for Materials Sci., 1-2-1, Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  YAMASHITA Y. (NIMS Beamline Station at SPring-8, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo ...) ,  YOSHIKAWA H. (NIMS Beamline Station at SPring-8, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo ...) ,  UEDA S. (NIMS Beamline Station at SPring-8, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo ...) ,  KOBAYASHI K. (NIMS Beamline Station at SPring-8, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 2  ページ： 024309  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫黄終端GaAs(001)上に固着したパラジウムによって成長させた触媒の構造および化学状態を研究する。コアレベル及び原子価バンド光電子放出の硬X線光電子放出分光法(HX-PES)は,有機パラジウム分子が表面で還元され,金属性のPdナノ粒子を生成ことを矛盾なく説明している。この発見は,走査電子顕微鏡検査及び後方散乱電子画像による高解像度観測によって補強される。HX-PES結果は,また,S終端を形成するS原子の部分がPdナノ粒子形成の間に酸化させられることも明らかにしている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *パラジウム ,  光電子放出 ,  X線光電子分光法 ,  *電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  図形 ,  電子回折 ,  後方散乱 ,  *パラジウム触媒 ,  付着 ,  走査電子顕微鏡法
準シソーラス用語： 後方散乱電子回折像法

分類 (2件)： 貴金属触媒  (CB06122I) ,  電子分光法  (BK01050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  パラジウム触媒 ,  硬X線 ,  光電子放出 ,  分光法 ,  調査