文献

J-GLOBAL ID：201002240989184702   整理番号：10A0617816

二元AlNとGaNサブレーヤによる三元AlGaNのディジタル合金化前駆体変調流エピタキシャル成長および組成不均一性の観測

Digitally Alloyed Modulated Precursor Flow Epitaxial Growth of Ternary AlGaN with Binary AlN and GaN Sub-Layers and Observation of Compositional Inhomogeneity

著者 (7件)： KIM Hee Jin (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  CHOI Suk (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  YOO Dongwon (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  RYOU Jae-Hyun (Georgia Inst. Technol., GA, USA) ,  HAWKRIDGE Michael E. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  LILIENTAL-WEBER Zuzanna (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  DUPUIS Russell D. (Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 5  ページ： 466-472  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNと高Al濃度AlGaN半導体は,高出力,高周波数電子素子や深紫外線光電素子用材料として注目されている。これらの素子を製作するために,AlNと高Al濃度AlGaNの高品質成長が必要である。本稿では,前駆体変調流エピタキシャル成長(MPEG)AlNサブレーヤと通常のMOCVD GaN層を組合わせた,ディジタル合金化前駆体変調流エピタキシャル成長(DA-MPEG)と名付けた新しい成長法を開発した。この成長法においては,表面のGa吸着原子の脱離を最小化し,三元Al_xGa_1-xN層の組成をAlNサブレーヤに対するGaNサブレーヤの比により制御した。各種Al組成(xが0.5~1)のAlGaN層の特性について述べた。そして,x~0.5のとき組成不均一性が生じることを示した。

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  化学組成 ,  MOCVD ,  不均一性 ,  前駆体
準シソーラス用語： *AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  エピタキシャル成長 ,  吸着原子

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： AlN ,  GaN ,  AlGaN ,  ディジタル ,  合金化 ,  前駆体 ,  変調 ,  エピタキシャル成長 ,  組成 ,  不均一性 ,  観測