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J-GLOBAL ID：201002241809844455   整理番号：10A0565016

GaN基板上に再成長AlGaN/GaN二次元電子ガスチャネルを有する新しい垂直ヘテロ接合電界効果トランジスタ

Novel Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors with Re-grown AlGaN/GaN Two-Dimensional Electron Gas Channels on GaN Substrates

著者 (10件)： OKADA Masaya (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  SAITOH Yu (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  YOKOYAMA Mitsunori (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  NAKATA Ken (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  YAEGASHI Seiji (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA Koji (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  UENO Masaki (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  KIYAMA Makoto (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  KATSUYAMA Tsukuru (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN) ,  NAKAMURA Takao (Sumitomo Electric Ind., Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 5  ページ： 054201.1-054201.3  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立GaN基板上に再成長AlGaN/GaN二次元電子ガス(2DEG)チャネルを有する,新しい垂直ヘテロ接合電界効果トランジスタ(VHFET)を開発した。-1.1Vの閾値電圧(V_TH)において7.6mΩcm²の比オン抵抗(R_onA)及び672Vの破壊電圧(V_B)を示した。破壊電圧及び性能指数(V_B²/R_onA)は,これまで報告されたGaNベース垂直トランジスタのそれらの中で最高であった。V_thを,AlGaN層の厚さにより制御でき,ノーマルオフの動作が10nm厚Al_0.2Ga_0.8N層により達成されることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *垂直型 ,  窒化ガリウム ,  *二次元電子ガス
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  *ヘテロ接合FET ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  閾値電圧 ,  破壊電圧

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• JOSHIN, K. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 983
• JOSHIN, K. IEEE Radio and Wireless Symp., 2008. 2008, 65
• KANECHIKA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L503
• MOTOKI, K. J. Cryst. Growth. 2007, 305, 377
• OTAKE, H. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 011105

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  再成長 ,  AlGaN ,  二次元電子ガス ,  チャネル ,  垂直 ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ