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J-GLOBAL ID:201002242072498425   整理番号:10A0467465

La2O3/ケイ酸塩ゲート誘電体内での平坦バンド電圧ロールオフおよびロールアップ挙動のキャラクタリゼーション

Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La2O3/silicate gate dielectric
著者 (9件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 720-723  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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La2O3/ケイ酸塩キャパシタの等価酸化厚(EOT)上における平坦バンド電圧(Vfb)のロールオフおよびロールアップ挙動をX線光電子分光法で特性化し,固定電荷によってモデル化した。その結果,反応生成ケイ酸塩層の厚さはウエハ上へ最初に蒸着したLa2O3の厚さに依存することがわかった。La2O3厚さが3nmを超える場合,ケイ酸塩層は1.6nmの一定の厚さで形成されることがわかった。しかし,La2O3厚さを1nmまで下げると,La2O3層に由来する活性酸素原子の減少によってケイ酸塩層の厚さが減少し,Laを多く含むケイ酸塩を形成する結果を生んだ。Vfbロールオフ挙動は,ゲート電極からケイ酸塩層への金属原子の拡散によって誘起される正の固定電荷生成増加に起因すると考えられる。他方,Vfbロールアップ挙動は,最初に蒸着したLa2O3層がすべてケイ酸塩に置き換わった時に起こると説明できる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 

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