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J-GLOBAL ID:201002242272647190   整理番号:10A0466869

シリコン(100)表面の大気圧酸素プラズマ活性化

Atmospheric oxygen plasma activation of silicon (100) surfaces
著者 (3件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 476  発行年: 2010年05月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコン(100)表面を,ラジオ周波数大気圧ヘリウムと酸素プラズマによる処理によって,5°以下の水接触角をもつ親水性状態へ変えた。250W,1.0l/分O2,30l/分He,及び3±0.1mmのソース-試料距離において動作する2インチ幅プラズマビームを,100±2mm/秒で試料上を走査した。HFエッチシリコンのプラズマ酸化は,表面エネルギーの分散成分を55.1から25.8dyn/cmへ減少させ,他方,表面エネルギーの極性成分は0.3から42.1dyn/cmへ増大した。X線光電子分光は,この処理によってSi(100)表面に0.15±0,10nm厚の共有結合酸素の単分子層を生成することを明らかにした。表面酸化動特性を,処理時間に関する水接触角における変化をモニターすることにより測定し,シリコン表面への基底状態酸素原子の質量移動により律速される過程と一致した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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プラズマ応用  ,  固-液界面 
タイトルに関連する用語 (4件):
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