文献

J-GLOBAL ID：201002242465402934   整理番号：10A1542793

線エッジと線幅の粗さの離散パワースペクトルに及ぼす統計的ノイズ効果

Statistical-noise effect on discrete power spectrum of line-edge and line-width roughness

著者 (2件)： HIRAIWA Atsushi (MIRAI-Selete, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan and Renesas Electronics Corp., 751 Horiguchi ...) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Selete, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： 1132  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 線エッジ粗さ(LER)と線幅粗さ(LWR)の制御は,大規模集積におけるデバイス変動挑戦における鍵となる問題である。LERとLWRの正確な特性評価は,大部分は実験結果における固有のノイズ効果の低減に依存する。この論文では,パワースペクトル密度(PSD)がどの様に,試料数N_Lの適合性から生じる統計的ノイズに影響されるかを報告する。これを達成するために,モンテカルロ(MC)法を用い,指数自動相関関数(ACF)を仮定して,数値的に線幅データを発生させた。MCデータを用いて得た擬似実験PSDの解析により,規格解析誤差の標準偏差ηを,N_Lおよび各線セグメントの幅データの数Nに無関係に,各解析に用いた幅データの全数N_ALLにより決定されるのを見出した。ηがN_ALL増加で減少するが,約N_ALL^3/4に逆比例した。PSD分布は大きな統計ノイズで大きいが,N_ALLが十分大きい限り,N_L=1の場合でさえも正確な結果が得られる。この結果は,PSD分布は真値を中央に持ち,最適適合PSDは,従ってNを増加させると真値に接近するbsから生じた。一方N_ALL固定でのηは,幅データ間隔Δyの相関長さζに対する比Δy/ζ比増加により減少し,(Δy/ζ)^3.8に逆比例した。結果として,特定のηでのN_ALLはΔy/ζ増加により減少しΔy/ζが3以下の場合,Δy/ζの平方根に逆比例した,このΔy/ζのしきい値を超えると,同じ解析精度を達成するために,顕著にN_ALLを増加させる必要があった。Δy/ζを増加させるとPSD範囲が減少し,ζの変化に対するPSDの引き続く感度損失が生じたことから,これが生じた。これらの結果をべースに正確な解析のガイドラインを次の様に,Δy/ζ≦0.3およびN_ALL≧Aη^-4/3(Δy/ζ)^-1/2(ここで幅変動において,それぞれAは1.8×10²,ζは7.2である)に確立した。すなわち,N_ALLの代わりに,全測定長L_ALLでは,ガイドラインは,N_ALLと同じAを用いて,Δy/ζ≦0.3およびL_ALL/ζ≧Aη^-4/3(Δy/ζ)^1/2となる。普遍的な形に表わすと,確率論的プロセスが指数関数ACFである限り,この研究のガイドラインを,LERとLWR以外の多くの問題に応用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： リソグラフィー ,  超LSI ,  *表面粗さ ,  *端部 ,  *パワースペクトル密度 ,  *効果 ,  モンテカルロ法 ,  離散系 ,  統計解析 ,  *確率論 ,  標準偏差
準シソーラス用語： *線幅粗さ ,  線エッジ粗さ ,  *ノイズ効果 ,  モンテカルロ手法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： エッジ ,  線幅 ,  粗さ ,  パワースペクトル ,  統計 ,  ノイズ