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J-GLOBAL ID：201002242532049918   整理番号：10A0197683

局所表面放電プラズマを適用したマスクレス・エッチング技法の適用

Examination of Maskless Etching Technique Using a Localized Surface Discharge Plasma

著者 (3件)： HAMADA Toshiyuki (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  SAKODA Tatsuya (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  OTSUBO Masahisa (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
資料名： IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  (IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering)
巻： 5  号： 1  ページ： 115-117  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： W1854A  ISSN： 1931-4973  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,ガス放電生成非平衡(gas discharges producing nonequilibrium)プラズマ(大気圧で発生する)に関心が集まっている。その理由は個々の応用に対して,数多くの潜在的能力・可能性があるからである。特に,マスクレス・パターン・エッチングは,MEMSや太陽光セルのようなマイクロプロセスに対して効果的である。MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)とは,微小電気機械素子およびその創製技術のことである。このエッジングは,Si基板上を覆うSiとSiNに対して行われる。局所的に表面放電(surface discharge)の生成に成功した。本論文は,単一結晶体(single crystalline)シリコン太陽光セルにおけるSiNフィルムの選択的エッチングに,開発したこの技術を適用した。

シソーラス用語： マスク ,  パターン形成 ,  *エッチング ,  *プラズマ ,  *MEMS ,  *超小形回路技術 ,  太陽光 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： エッチング処理 ,  光MEMS ,  *太陽光電池

分類 (4件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  混成集積回路  (NC03163K) ,  プラズマ一般  (BJ02010B)

引用文献 (4件)：

• ITATANI, R. Technical issues and future prospects of non-thermal atmospheric-pressure plasma. Journal of Plasma Fusion Research. 2003, 79, 10, 1029-1031
• SAKODA, T. Selective etching of silicon nitride film on single crystalline silicon solar cell using intensive surface discharge. Japanese Journal of Applied Physics. 2006, 45, 5A, 3993-3994
• HAMADA, T. Fabrication of electrode groove on silicon solar cell using high-pressure surface discharge. IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials. 2008, 128, 12, 733-739
• SMOLINSKY, G. Reactive ion etching of silicon oxides with ammonia and trifluoromethan. The role of nitrogen in the discharge. Journal of Electro-chemical Society. 1982, 129, 1036-1040

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面放電 ,  プラズマ ,  マスクレス ,  エッチング ,  技法