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J-GLOBAL ID：201002242668371554   整理番号：10A0554912

極めて浅い接合の作成にホウ素に基づく低エネルギーイオン注入の損傷工学

Damage engineering of boron-based low energy ion implantations on ultrashallow junction fabrications

著者 (3件)： QIN Shu (Micron Technol., Inc., 8000 S. Federal Way, Boise, Idaho 83707) ,  HU Y. Jeff (Micron Technol., Inc., 8000 S. Federal Way, Boise, Idaho 83707) ,  MCTEER Allen (Micron Technol., Inc., 8000 S. Federal Way, Boise, Idaho 83707)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 3  ページ： 588  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡法と2次イオン質量分析法,及び素子特性評価を組合せて使い,Bに基づく低エネルギーイオン注入体の損傷工学の研究をうまく行うことができた。非晶質化した(a-Si)層(表面格子損傷)とレンジ終端(EOR)損傷の深さと密度はイオン質量(amu)と注入体エネルギーと相関することが分った。これらは分子イオン注入体と超低エネルギー注入体にスケーラブルになる。¹¹Bビーム線形注入体は,そのamuが小さく,低エネルギーのため,a-Si及びEOR深さ両方がより薄くなり,損傷は電流アニーリング条件下で良くアニールされる。BF₂ビーム線注入体は,その大きいamuと高エネルギーのため,より非晶質化して激しい表面格子損傷を見せ,アニーリング(再結晶化)にはよりサーマルバジェットが必要となる。B₂H₆プラズマドーピング(PLAD)は中程度のa-Si層とビーム線の場合より少ないEOR損傷を見せた。これはB堆積がスクリーンとなり,Siウエハ基板上へ直接のイオン衝撃が存在しないと説明した。BF₃PLADは,BF₂ビーム線注入体と同じ程度の損傷挙動を見せたが,格子損傷は少なかった。素子の性能評価を行って,B₂H₆PLADで処理した素子は,BF₂やC₂B₁₀H₁₂の分子線注入体で処理した場合よりも,損傷が少なく,より完全なアニーリングが起こることから,良好なI_ON対I_OFF特性を見せた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ホウ素 ,  *イオン注入 ,  アモルファスシリコン ,  照射損傷 ,  ドーピング ,  プラズマ処理 ,  イオン照射 ,  透過型電子顕微鏡 ,  二次イオン質量分析 ,  アモルファス化 ,  ケイ素
準シソーラス用語： *プラズマドーピング

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 浅い接合 ,  ホウ素 ,  低エネルギーイオン ,  注入 ,  損傷 ,  工学