NiO を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性

土橋一史; 木下健太郎; 木下健太郎; 牧野達也; 奥谷匠; 依田貴稔; 花田明紘; 岸田悟; 岸田悟

文献

J-GLOBAL ID：201002243511717992 整理番号：10A0533459

NiO を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性

Dependence of Memory Characteristics on Crystallinity in NiO-ReRAM

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0533459&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0194A") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 53 号： 3 ページ： 129-131 (J-STAGE) 発行年： 2010年
JST資料番号： G0194A ISSN： 1882-2398 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

DCマグネトロンスパッタリング法を用いて基板加熱温度を変化させ,粒径の異なるNiO多結晶膜を調製した。Ar,O₂混合雰囲気中でNiOをDC反応性スパッタリング法により,Pt下部電極/Ti/SiO₂上に60nm堆積させた試料そして200nm堆積させた試料を作製した。成膜時の出力は1kW,基板加熱温度を室温,200°C,250°C,300°Cそして380°Cとした。れぞれの膜に対してX線回折測定によりNiO膜の結晶性を,走査型電子顕微鏡法により断面像を測定した。伝導原子間力顕微鏡(C-AFM)により局所領域における抵抗変化効果の性質を調べた。結果として,抵抗変化がNiO結晶粒においてではなく,NiO結晶粒界で起こることを明らかにした。したがって,小型化の限界が結晶粒子の直径に従って決定されることを示唆した。

, , , , , , , , , , , ,

電子・磁気・光学記録

引用文献 (5件)：

1) I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H.-J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., (2005) 769.
2) Y. Hosoi, Y. Tamai, T. Ohnishi, K. Ishihara, T. Shibuya, Y. Inoue, S. Yamazaki, T. Nakano, S. Ohnishi, N. Awaya, I. H. Inoue, H. Shima, H. Akinaga, H. Takagi, H. Akoh and Y. Tokura: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (2006) 793.
3) K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Jizuka, Y. Ito, A. Takahashi, A. Okano, Y. Sato, T. Fukano, M. Aoki and Y. Sugiyama: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., (2007) 767.
4) S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi and B. H. Park: Appl. Phys. Lett., 85(2004) 5655.
5) C. Yoshida, K. Tsunoda, H. Noshiro and Y. Sugiyama: Appl. Phys. Lett., 93(2008) 042106.

, ,

前のページに戻る