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J-GLOBAL ID：201002243515939540   整理番号：10A0491075

InN/GaN多重核形成層をもつ窒化物ベース金属-半導体-金属光検出器

Nitride-Based Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors with InN/GaN Multiple Nucleation Layers

著者 (5件)： CHEN Chin-Hsiang (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WANG Kuo-Ren (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TSAI Sung-Yi (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHIEN Hsiu-Ju (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WU San-Lein (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DG06.1-04DG06.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InN/GaN多重核形成層をもつGaN金属-半導体-金属(MSM)光検出器を提案し,作製した。我々は,従来の単一低温GaN核形成層をもつGaN MSM光検出器からのそれよりも提案したInN/GaN多重核形成層をもつデバイスからはるかに小さな暗電流およびより大きな光電流-暗電流比を達成した。我々はまた,InN/GaN多重核形成層をもつ光検出器から360~450nmでの光電流のはるかに大きなUV-可視スペクトル応答比を達成した。さらに,我々は,これらのInN/GaN多重核形成層を用いて雑音電流密度を有意に低減できることも見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *核形成 ,  *MSM構造 ,  *光検出器 ,  *窒化ガリウム ,  窒化インジウム ,  多層膜 ,  化合物半導体 ,  *暗電流 ,  比率 ,  光電流 ,  雑音 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 光電流-暗電流比

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

引用文献 (25件)：

• M. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burn, and W. Schaff: Appl. Phys. Lett.66(1995)1083.
• I. Akasaki, H. Amano, Y. Koidc, K. Hiramatsu, and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98(1989)209.
• M. Hanzaz, A. Bouhdada, P. Gibart, and F. Omnès: J. Appl. Phys.92(2002)13.
• M. Razeghi and A. Rogalski: J. Appl. Phys.79(1996)7433.
• E. Monroy, M. Hamilton, D. Walker, P. Kung, F. J. Sánchez, and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett.74(1999)1171.

タイトルに関連する用語 (8件)： InN ,  GaN ,  多重 ,  核 ,  形成層 ,  窒化物 ,  ベース金属 ,  光検出器