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J-GLOBAL ID：201002243638197939   整理番号：10A0680401

透明基板上における縦横比の大きい高配向GaAsナノワイヤの高制御形成

Controlled formation of well-aligned GaAs nanowires with a high aspect ratio on transparent substrates

著者 (5件)： CHAO Jiun-Jie (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WANG Ding-Shin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SHIU Shu-Chia (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUNG Shih-Che (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Ching-Fuh (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 6  ページ： 065014,1-7  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上に縦横比の大きい高配向GaAs-ナノワイヤ(NW)を制御良く形成する試みについて報告する。ドライエッチングのマスクとして用いるSiO₂ナノ粒子の単分子層を堆積するには,コロイド状の分散溶液とメタノールが必要である。適当な流速を持つプロセスガスと適当なパワーの誘導結合プラズマ(ICP)を用いて,1.5×1.5cm²基板の全域に亘って,4×10⁹cm^-2の密度を持つGaAs-NWを堆積することができた。SiO₂ナノ粒子の直径によって決定されるNWの直径は70nm程度であることが分かった。また,NWの長さはICPのエッチング時間によって決定され,その長さは4.3μmであることが分かった。X線回折スペクトルと透過型電子顕微鏡観察から,NWの結晶方位と垂直に配向したモルホロジーは非常に良好であることが明らかになった。これらの垂直方向に高配向したGaAsのNWは優れた反射防止特性を持つので,太陽電池の材料として期待される。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  アラインメント ,  *ナノワイヤ ,  アスペクト比 ,  基板 ,  透明材料 ,  アレイ ,  二酸化ケイ素 ,  *プラズマエッチング ,  マスク ,  濡れ ,  誘導結合プラズマ ,  移動 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 透明基板 ,  縦横比 ,  配向 ,  GaAs ,  ナノワイヤ