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J-GLOBAL ID：201002244766218775   整理番号：10A1103591

拡張したサイドウォールコントロール(ESCG)構造を持った三次元FG NANDフラッシュメモリセルアレイのFG幅のスケーラビリティ

The Scalability of FG width of the 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the Extended Sidewall Control Gate (ESCG) structure.

著者 (3件)： SEO Moon-Sik (Tohoku Univ.) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ.) ,  ENDOH Tetsuo (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.17A-ZE-4  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  アレイ回路 ,  *フローティングゲート ,  スケーラビリティ【計算機】 ,  側壁 ,  制御 ,  素子構造 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *NANDフラッシュメモリ ,  *ゲート長 ,  セルアレイ ,  干渉効果 ,  側壁制御

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 拡張 ,  サイドウォール ,  コントロール ,  NANDフラッシュメモリ ,  セルアレイ ,  スケーラビリティ