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J-GLOBAL ID：201002245062121055   整理番号：10A0201211

低温でのUV励起オゾン酸化におけるケイ素基質の最表面温度の評価

Evaluation of Outermost Surface Temperature of Silicon Substrates during UV-Excited Ozone Oxidation at Low Temperature

著者 (10件)： KAMEDA Naoto (Meidensha Corp.) ,  KAMEDA Naoto (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  NISHIGUCHI Tetsuya (Meidensha Corp.) ,  NISHIGUCHI Tetsuya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  MORIKAWA Yoshiki (Meidensha Corp.) ,  KEKURA Mitsuru (Meidensha Corp.) ,  NAKAMURA Ken (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  USHIYAMA Tomoharu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  NONAKA Hidehiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  ICHIMURA Shingo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名： Analytical Sciences  (Analytical Sciences)
巻： 26  号： 2  ページ： 273-276 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0673B  ISSN： 0910-6340  CODEN： ANSCEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外線(UV)励起オゾンガスを用い,ポリSiまたはSiウエハ上ゲート誘電体膜として利用できる高品質SiO₂膜を試料加熱なしに調製した。UV励起オゾンガスは高濃度オゾンガスのUV照射によって発生し,UV励起オゾン過程ではオゾンガスを通して試料表面にUV光を直接照射した。試料表面温度は表面でのUV光吸収によって上昇し,表面温度の推定は酸化機構の理解に重要であった。酸素ガスの酸化速度の温度依存性を解析し,UV照射における表面温度を約300°Cと推定した。以前にこの温度ではオゾンガスの熱分解は全く生じず,酸素ガスはSi基質を酸化させないことを示した。したがってUV励起オゾン過程における唯一の酸化種はUV励起オゾンO(¹D)と結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 紫外線照射 ,  *ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  オゾン ,  表面温度 ,  ポリシリコン ,  光ポンピング ,  温度依存性 ,  反応速度 ,  酸化 ,  基質 ,  *光化学 ,  *X線光電子分光法 ,  酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： オゾンガス ,  光励起 ,  ゲート誘電体

分類 (3件)： 無機化合物の物理分析  (CC03024P) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

引用文献 (15件)：

• 1. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys., 1965, 36, 3770.
• 2. T. Nishiguchi, Y. Morikawa, M. Kekura, H. Nonaka, and S. Ichimura, Rev. Sci. Instrum., 2002, 73, 1217.
• 3. S. Ichimura, H. Nonaka, Y. Morikawa, T. Noyori, T. Nishiguchi, and M. Kekura, J. Vac. Sci. Technol., A, 2004, 22, 1410.
• 4. S. Hosokawa and S. Ichimura, Rev. Sci. Instrum., 1991, 62, 1614.
• 5. S. Ichimura, S. Hosokawa, H. Nonaka, and K. Arai, J. Vac. Sci. Technol., A, 1991, 9, 2369.

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  励起 ,  オゾン酸化 ,  ケイ素 ,  基質 ,  表面温度 ,  評価