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J-GLOBAL ID:201002245538982283   整理番号:10A0786216

ポジ型フォトレジスト特性を用いた三次元微細構造技術

A three-dimensional microstructuring technique exploiting the positive photoresist property
著者 (4件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 065005,1-13  発行年: 2010年06月 
JST資料番号: W1424A  ISSN: 0960-1317  CODEN: JMMIEZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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近年,フォトリソグラフィにより直接製作可能な3D高分子微細構造への関心が高まっている。MEMS応用としてDNQ(ジアゾナフトキノン)フォトレジストを用いた3D厚膜フォトレジスト微細構造が盛んに研究されているが,その寸法制限は直下の課題である。本論文では,50μ厚DNQフォトレジスト特性を採用した3D微細構造法につき報告した。厚膜レジストにおいて異なる空間分解能分布に与える露光波長効果を利用して,移動マスクUVリソグラフィとの組み合わせによる3Dフォトリソグラフィがナノスケール構造製作能力をもつことを示した。報告の3Dフォトリソグラフィ法を検証するため,DNQフォトレジスト特性を評価した。パラメトリック実験結果により次ぎの結論を得た。1)3Dフォトリソグラフィ法のための露光波長選択の有効性。2)g線プロセスによる3D微細構造用フォトリソグラフィプロセスの寸法制限緩和。3)決定分解能レート機能の有効性。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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