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J-GLOBAL ID：201002246957333330   整理番号：10A0823359

面内型トライオードカーボンナノチューブ放出体のシミュレーション研究

Simulation study of the in-plane-type triode carbon nanotube emitter

著者 (5件)： FURUTA Hiroshi (Nano-device Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., Miyanokuchi 185, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-0852, JPN) ,  ISHII Kazuhisa (Techno Network Shikoku Co., Ltd., Marunouchi 2-5, Takamatsu, Kagawa 760-0033, JPN) ,  OKADA Kouji (Techno Network Shikoku Co., Ltd., Marunouchi 2-5, Takamatsu, Kagawa 760-0033, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Nano-device Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., Miyanokuchi 185, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-0852, JPN) ,  HIRAO Takashi (Nano-device Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., Miyanokuchi 185, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-0852, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 4  ページ： 878  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出バックライトランプ用の面内型トライオードカーボンナノチューブ放出体の電界放出を,有限要素法によるシミュレーションで調べ,理想の高効率電界放出蛍光ランプ(FEL)であることを示した。陽極電流はFELトライオード放出体に対するゲートバイアス電圧により通常制御される。面内型トライオード放出体のシミュレーションは,陰極-ゲート間隔の縮小,陰極とゲート電極の幅の縮小,小さな陰極/ゲート電極幅比により0V/-100Vのゲートバイアス電圧に対する陽極電流密度のオン/オフ比が増大することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *バックライト ,  *電界放出 ,  有限要素法 ,  計算機シミュレーション ,  蛍光ランプ ,  カソード ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  電流密度
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  陰極 ,  バイアス電圧

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 放出 ,  シミュレーション ,  研究