NH<sub>3</sub>プラズマによるCu面の清浄化時の低誘電率誘電体の損傷に及ぼすHeプラズマによる前処理の効果

URBANOWICZ A. M.; URBANOWICZ A. M.; SHAMIRYAN D.; ZAKA A.; ZAKA A.; VERDONCK P.; DE GENDT S.; DE GENDT S.; BAKLANOV M. R.

文献

J-GLOBAL ID：201002247351582764 整理番号：10A0557120

NH₃プラズマによるCu面の清浄化時の低誘電率誘電体の損傷に及ぼすHeプラズマによる前処理の効果

Effects of He Plasma Pretreatment on Low-k Damage during Cu Surface Cleaning with NH₃ Plasma

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資料名：
巻： 157 号： 5 ページ： H565-H573 発行年： 2010年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

化学的機械的研磨後のCu面のNH₃プラズマによる清浄化時に多孔質層間絶縁膜はプラズマ損傷をうける。プラズマ損傷を低減するため,Heプラズマによる前処理を導入した。多孔質SiOC:H膜を全面に化学蒸着したウエハに順次,Heプラズマ処理,NH₃プラズマ処理を施し,プラズマ損傷を分光エリプソメトリー,赤外吸収分光,二次イオン質量分析により評価した。HeプラズマのRFパワーは400~1400W,処理時間は0~60sである。実験結果から次のことが分かった。1)NH_xラジカルはSiOC膜中に侵入し,疎水性のSi-CH₃基を駆逐して膜を親水性にする,2)Heプラズマで前処理をしておくと,NH_xラジカルの表面再結合が促進してプラズマ損傷が低減する,3)Heプラズマ処理時に極端紫外フォトンと準安定な2¹S He原子からSiOC膜へのエネルギー移動が生じ,表面から20~30nmの範囲内の膜質が改変する,4)プラズマ損傷の低減度合いはRFパワー(プラズマ密度)と処理時間に比例する。

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半導体集積回路 , 非金属化合物

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NH3プラズマによるCu面の清浄化時の低誘電率誘電体の損傷に及ぼすHeプラズマによる前処理の効果

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