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J-GLOBAL ID：201002248862496439   整理番号：10A1542794

塩素/アルゴンの混合中性ビームを用いるGaAs/AlGaAsヘテロナノ構造の欠陥のないエッチングプロセス

Defect-free etching process for GaAs/AlGaAs hetero-nanostructure using chlorine/argon mixed neutral beam

著者 (6件)： WANG Xuan-yu (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and ...) ,  HUANG Chi-hsien (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and ...) ,  OHNO Yuzo (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira ...) ,  IGARASHI Mokoto (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and ...) ,  MURAYAMA Akihiro (Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Kita 14, Nishi 9, Kita-ku, Sapporo 060-0814, Japan ...) ,  SAMUKAWA Seiji (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： 1138  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 塩素(Cl₂)とアルゴン(Ar)混合ガスを用いるGaAs/AlGaAsヘテロナノ構造のエッチングプロセス,中性ビーム(NB)エッチングを研究した。塩素とアルゴンの種々の混合比の効果を調べた。結果は,純塩素NB(Cl-NB)を用いるとエッチング表面上に柱形成問題が観察された。Ar/(Cl₂+Ar)ガス混合比を増加することにより,柱が除去され,エッチング表面粗さが平滑になった。78%のAr/(Cl₂+Ar)ガス混合比を用いると,GaAsとAl_0.3Ga_0.7Asの両者のエッチング表面の平方二乗根の粗さは約0.6nmであり,これは生成直後の試料のそれと殆ど同じである。一方GaAs/Al_0.3Ga_0.7Asのエッチング選択性を1に保つことができ,エッチングで明瞭で平滑なプロファイルを得るのに有用である。さらにGaAsエッチプロファイルの高分解能の透過電子顕微鏡イメージは,エッチング表面に結晶欠陥が観察されないことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *混合気体 ,  *塩素 ,  アルゴン ,  *エッチング ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヘテロ接合 ,  *ナノ構造 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 結晶欠陥

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 塩素 ,  アルゴン ,  中性ビーム ,  GaAs ,  AlGaAs ,  ヘテロナノ構造 ,  欠陥 ,  エッチングプロセス