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J-GLOBAL ID：201002250005598132   整理番号：10A0823367

三次元回折プロファイル分析を用いて決定したエピタキシャルSrTiO₃/Si(001)の形態

Morphology of epitaxial SrTiO₃/Si (001) determined using three-dimensional diffraction profile analysis

著者 (5件)： SEGAL Y. (Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut 06520-8284) ,  REINER J. W. (Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut 06520-8284) ,  ZHANG Z. (Advanced Photon Source, Argonne National Lab., 9700 South Cass Avenue, Argonne, Illinois 60439) ,  AHN C. H. (Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut ...) ,  WALKER F. J. (Dep. of Applied Physics and Center for Interface Structure and Phenomena, Yale Univ., New Haven Connecticut 06520-8284)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 4  ページ： C5B1  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テラス構造,歪分布,結晶粒形状などのエピタキシャル膜の大規模な特徴は素子性能に実質的に影響を与え得る。回折スポットの形状は平均の大規模構造を捕捉する。エピタキシャルSrTiO₃/Si(001)では,スポットは二軸に沿ってLに依存した分裂を示す。この特徴の分析はその起源を凹凸の階段状周辺部の形成まで追跡し,テラスの長さとステップの蛇行の長さ尺度を決める。このような構造は実空間撮影を用いて,二量体化Si(001)でこれ迄に観察されている。成長の初期段階で生じるSi拡散はこの形態をもたらす。この形態はこれらの膜における緩和の小さな臨界厚の説明で重要な役割をすると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *X線回折 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  強誘電体 ,  ケイ素 ,  固体内拡散 ,  表面テラス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 回折 ,  プロファイル ,  分析 ,  エピタキシャル ,  Si ,  形態