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J-GLOBAL ID：201002250690720379   整理番号：10A0682218

高周波フロントエンドおよび高速I/Oインタフェイス回路用のESD保護ダイオードのレイアウトスタイルの最適化

Optimization on Layout Style of ESD Protection Diode for Radio-Frequency Front-End and High-Speed I/O Interface Circuits

著者 (5件)： YEH Chih-Ting (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YEH Chih-Ting (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  KER Ming-Dou (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KER Ming-Dou (I-Shou Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIANG Yung-Chih (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 10  号： 2  ページ： 238-246  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールCMOS技術を用いるICの信頼性にESD耐性の重要さが増し,ICチップ上のESD保護素子サイズは大きくならざるを得ない。しかしながらサイズ増大に伴う寄生容量増加が高周波フロントエンドおよび高速I/Oインタフェイス回路にとって性能低下におおきな問題となる。ESD保護素子の寄生容量(C_ESD)を最小にし,ESD耐性を適正なレベルに保つためにESD保護素子のさまざまな形状を検討した。90nmCMOSプロセスにより,一般的なストライプ形状に加えさまざまな形状(ワッフル形状,八角形状,中空ワッフル形状,中空八角形状)のESD保護素子をつくり,その特性について評価した。性能指数I_CP/C_ESD値を検討した結果,中空構造をもつワッフル形状や八角形状のESD保護素子が高周波フロントエンドおよび高速I/Oインタフェイス回路に適していることが判明した。

シソーラス用語： 入出力インタフェイス ,  *ダイオード ,  マイクロ波回路 ,  放電 ,  静電気 ,  配置設計 ,  無線伝送 ,  *電気保護 ,  保護装置 ,  最適設計 ,  形状効果 ,  *送受信機
準シソーラス用語： ESD【放電】 ,  トランシーバ ,  フロントエンド【回路】

分類 (3件)： その他の電子回路  (NC05090X) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  放電一般  (BJ03010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  フロントエンド ,  インタフェイス回路 ,  ESD保護 ,  ダイオード ,  最適化