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J-GLOBAL ID：201002250732364314   整理番号：10A0695184

Bragg位相板X線トポグラフィで弱ビーム法で見られた4H-SiCウエハ中の貫通らせん転位

Threading Screw Dislocations in 4H-SiC Wafer Observed by the Weak-Beam Method in Bragg-Case X-ray Topography

著者 (2件)： YAMAGUCHI Hirotaka (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUHATA Hirofumi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 6  ページ： 715-718  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,SiCのような広バンドギャップ半導体が高効率で省エネルギーパワーデバイス用として注目されている。SiC中の転位欠陥の検出には暗視野X線トポグラフィ法が使われるが,転位コントラストが歪場に敏感なため画像化が難しい。本稿では,Bragg位相板X線トポグラフィで弱ビームの鮮明な画像を得るため,角発散ピークが試料からの回折ピークのDarwin幅より小さくなるようにX線ビームを集束させた。その結果,運動学的回折により貫通らせん転位の高分解能コントラストが得られた。さらに,転位周りの格子変位を考慮して,各らせん転位の感度が弱ビーム画像から直接求められた。

シソーラス用語： Bragg反射 ,  *X線トポグラフィー ,  炭化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *貫通転位 ,  位相板 ,  分解能 ,  コントラスト ,  運動学的回折 ,  *電子回折 ,  螺旋転位
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  コントラスト分解能 ,  *弱ビーム法

分類 (2件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 位相板 ,  X線トポグラフィ ,  弱ビーム法 ,  4H-SiC ,  ウエハ ,  らせん転位