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J-GLOBAL ID：201002250830033741   整理番号：10A0920667

(112)B HgCdTe/CdTe/Siにおける転位の特性調査

Characterization of Dislocations in (112)B HgCdTe/CdTe/Si

著者 (19件)： BENSON J.D. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  BUBULAC L.O. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  SMITH P.J. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  JACOBS R.N. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  MARKUNAS J.K. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  JAIME-VASQUEZ M. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  ALMEIDA L.A. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  STOLTZ A.J. (U.S. Army RDECOM, VA, USA) ,  WIJEWARNASURIYA P.S. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  BRILL G. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  CHEN Y. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  LEE U. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  VILELA M.F. (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  PETERSON J. (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  JOHNSON S.M. (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  LOFGREEN D.D. (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  RHIGER D. (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  PATTEN E.A. (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  GOETZ P.M. (Raytheon Vision Systems, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 7  ページ： 1080-1086  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HgCdTe/Si素子の歩留り向上のために,MBE(112)B HgCdTe/CdTe/Siにおける転位の影響と性質を調査する必要がある。本稿では,HgCdTe/CdTe/Siエッチピット密度とフォトダイオードの電気的性質の相関を特性評価した。(112)Si上に蒸着したMBE(112)B HgCdTeエピ層を分析した。欠陥密度をエッチピット密度決定により明らかにした。個別ダイオードのエッチピット密度と電気的性質の間に直接対応がないことを示した。これらのデータが,転位密度と電気的試験結果の関係を説明する等価回路モデルを導いた。静電気力顕微鏡技術を欠陥エッチHgCdTe/Siの電気的性質を分析するために用いた。エッチピット周辺で観察した表面電位の変化が,転位の電気的性質に関係した。

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *テルル化水銀 ,  ケイ素 ,  *転位【結晶】 ,  MBE成長 ,  *フォトダイオード ,  エッチピット ,  電気的性質 ,  表面電位 ,  力顕微鏡
準シソーラス用語： CdTe ,  HgCdTe ,  HgTe ,  Si ,  静電気力顕微鏡

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： HgCdTe ,  CdTe ,  Si ,  転位 ,  特性調査