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J-GLOBAL ID：201002250880445161   整理番号：10A0387921

OTCP法を用いたLOCOSアイソレーションを有するLDDトランジスタの有効短及び狭チャネルにおける放射線効果評価

Radiation Effect Evaluation in Effective Short and Narrow Channels of LDD Transistor With LOCOS Isolation Using OTCP Method

著者 (3件)： TAHI Hakim (Centre de Developpement des Technol. Avancees, Algiers, DZA) ,  DJEZZAR Boualem (Centre de Developpement des Technol. Avancees, Algiers, DZA) ,  NADJI Bacharia (Univ. M’hamed Bougara de Boumerdes, Boumerdes, DZA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 10  号： 1  ページ： 108-115  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 狭及び単チャネルトランジスタの電荷ポンピング(CP)曲線から,シリコンの局所酸化(LOCOS)及び軽ドープドレイン(LDD)効果を取り出す方法を述べた。この方法を用い,酸化物トラップCP(OTCP)法を応用することにより,短及び狭両LDD MOSFETに関する有効チャネルにおける放射線誘起トラップを引き出すことができた。OTCP法の結果を,C-V法によるものと比較した。LOCOSエッジ効果が,対数スケールでのゲート幅に関するΔN_itの見かけ上の直線的依存性を引き起こすことが分かった。

シソーラス用語： *放射線効果 ,  短チャネル効果 ,  *LDD構造 ,  *LOCOS ,  励起 ,  *チャネル ,  *MOSFET ,  電流電圧特性 ,  NMOS構造 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 電荷ポンピング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： LOCOS ,  アイソレーション ,  トランジスタ ,  チャネル ,  放射線効果 ,  評価