pチャネル金属-酸化物-半導体 電界効果トランジスタに関する前方ボディ-バイアス増強負バイアス温度不安定性回復

HE Yandong; DU Gang; YANG Yunxiang; ZHANG Ganggang; ZHANG Xing; WANG Yangyuan

文献

J-GLOBAL ID：201002252655530349 整理番号：10A0491011

pチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに関する前方ボディ-バイアス増強負バイアス温度不安定性回復

Forward-Body-Bias-Enhanced Negative Bias Temperature Instability Recovery of p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DC25.1-04DC25.3 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

前方ボディ-バイアス(FBB)を有するpチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(pMOSFET)について,負バイアス温度不安定性(NBTI)回復を,実験研究で調べた。著者らの結果は,正のゲートバイアスだけでなく,FBBも,pMOSFETに対するNBTIの回復を促進することを示した。前方ボディ-バイアス増強NBTI回復機構を,FBB依存性を有するNBTI回復の証拠,ならびに対応する電子/正孔密度シミュレーション結果と共に提示した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (8件)：

A. Hokazono, S. Balasubramanian, K. Ishimaru, H. Ishiuchi, C. Hu, and T.-J. K. Liu: IEEE Trans. Electron Devices 55(2008)2657.
S.-F. Huang, C. Wann, Y.-S. Huang, C.-Y. Lin, T. Schatbauer, S.-M. Cheng, Y.-C. Cheng, D. Vietzke, M. Eller, C. Lin, Q. Ye, N. Rovedo, S. Biesemans, P. Nguyen, R. Dennard, and B. Chen: VLSI Symp. Tech. Dig., 2001, p. 107.
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