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J-GLOBAL ID：201002253663175554   整理番号：10A0859139

錫ウィスカ成長に及ぼす端子材の影響

Effect of Substrate Materials on Sn Whisker Growth

著者 (6件)： KIM Keun-Soo (大阪大 産科研) ,  菅沼克昭 (大阪大 産科研) ,  寄門雄飛 (大阪大 大学院工学研究科) ,  LEE Ki-Ju (大阪大 大学院工学研究科) ,  BAATED Alongheng (大阪大 大学院工学研究科) ,  辻本雅宣 (上村工業)
資料名： 銅と銅合金  (Journal of Japan Institute of Copper)
巻： 49  ページ： 112-115  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： S0603A  ISSN： 1347-7234  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： はんだとめっきの鉛フリー化が進む中,スズ-鉛の代替材として純スズやスズリッチ合金が候補とされている。しかし,発生するスズウィスカは数百μmまで成長するため,電子機器の信頼性を低下させる。本研究では,スズウィスカを抑制するため,銅とは異なる界面反応が予測される黄銅(C2680)を用いてスズめっきとの間に形成する界面化合物を調べ,端子材のウィスカ発生,成長に及ぼす影響を検討した。また,スズ結晶粒のウィスカ成長挙動に及ぼす影響も調べた。スズめっき/黄銅界面の金属間化合物の成長は極めて緩やかになり,界面化合物の選択的な成長により生じるスズめっき内部の圧縮応力が小さくなり,スズウィスカが抑制されることが分かった。また,スズ結晶粒が大きいほうがウィスカ抑制に効果的であった。

シソーラス用語： 材料 ,  環境保全 ,  はんだ ,  めっき ,  *スズめっき ,  黄銅 ,  端子 ,  導体材料 ,  界面 ,  *表面構造 ,  ホイスカ ,  金属間化合物 ,  圧縮応力 ,  粒径 ,  粒度依存性 ,  電子部品 ,  信頼性 ,  相組成 ,  電子プローブX線分析 ,  熱処理
準シソーラス用語： 鉛フリー材料 ,  界面組織 ,  EPMA【表面分析】

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

引用文献 (8件)：

• W. J. Boettinger, C. E. Johnson, L. A. Bendersky, K.-W. Moon, M. E. Williams, and G. R. Stafford: Acta Mater., 53(2005), 5033-5050.
• K. N. Tu and J. C. M. Li: Mater. Sci. Eng. A, 409(2005), 131-139.
• T. A. Woodrow and E. A. Ledbury: Proc. ICP/JEDEC 8th International Conference on Lead Free Electronic Components and Assemblies,(2005).
• A. T. Wu and Y. C. Ding: Microelectron. Reliab., 48-10(2009).1737-1741.
• 寄門雄飛, 金橦鉄, 菅沼克昭, 辻本雅宣, 梁田勇: 第16飼マイクロエbクみPニクズシンポジウム,(2006), 207-210.

タイトルに関連する用語 (3件)： 錫 ,  ウィスカ ,  成長