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J-GLOBAL ID：201002253683606721   整理番号：10A0776988

電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用

Electrochemical Formation of InP Porous Structures and Their Application to High-Sensitive Chemical Sensors

著者 (4件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  吉澤直樹 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  岡崎拓行 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 80(ED2010 33-47)  ページ： 11-15  発行年： 2010年06月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ゲート検出部に多孔質構造を持つ新しいISFET(多孔質ゲート型ISFET)を提案し,試作した素子の基本特性を評価した。p⁺-InP基板上に結晶成長したn-InP層をチャネル層とし,電気化学的手法を用いてチャネル層内に多孔質構造を形成する手法を確立した。作製した多孔質ゲート型ISFETは,孔壁の表面電位の変化をソース-ドレイン電流で検出可能であり,基板裏面に形成したバックゲートに印加する電圧で感度を調整可能であることを明らかにした。さらに,pH応答特性を評価した結果,提案する多孔質ゲート型ISFETはプレーナ型素子と比べて電流変化率が大きく,化学物質の高感度検出に有望であることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： リン化インジウム ,  多孔質体 ,  *ISFET ,  *化学センサ ,  高感度 ,  電気化学反応
準シソーラス用語： InP

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• BERGVELD, P. Development of an Ion-Sensitive Solid-State Device for Neurophysiological Measurements. IEEE Trans. Biomed. Eng. 1970, 17, 70-71
• BERGVELD, P. Development, Operation, and Application of the Ion-Sensitive Field-Effect Transistor as a Tool for Electrophysiology. IEEE Trans. Biomed. Eng. 1972, 19, 342-351
• ESASHI, M. Integrated Micro Multi Ion Sensor Using Field Effect of Semiconductor. IEEE Trans. Biomed. Eng. 1978, 25, 184-192n
• BOUSSE, L. Operation of Chemically Sensitive Field-Effect Sensors As a Function of the Insulator-Electrolyte Interface. IEEE Trans. Electron Devices. 1983, 30, 1263-1270
• NIU, M.-N. Effect of two types of surface sites on the characteristics of Si_3N_4-gate pH-ISFETs. Sens. Actuators B. 1996, 37, 13-17

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学 ,  手法 ,  InP ,  多孔質構造 ,  高感度 ,  化学センサ ,  応用