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J-GLOBAL ID：201002254020009181   整理番号：10A0387911

高V_GS PFET DCホットキャリア機構及びAC劣化へのその関係

High-V_GS PFET DC Hot-Carrier Mechanism and Its Relation to AC Degradation

著者 (3件)： RAUCH Stewart E., III (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  GUARIN Fernando (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  LA ROSA Giuseppe (IBM Microelectronics, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 10  号： 1  ページ： 40-46  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PFETにおける負バイアス温度不安定性(NBTI)を研究した。PFETに関して,局所自己加熱活性化NBTI(LSHAN)モデルは,純粋NBTI及び高V_g領域ホットキャリア条件下において,dcストレス結果と一致した。しかし,この高V_g PFET LSHAN機構の非準静挙動は,実際のCMOSスイッチング環境において実証された。少なくとも,中間V_g領域において,実際のPFETホットキャリアは,エネルギー駆動ホットキャリア(EDHC)モデルに従った。ROストレス下でのPFET劣化は,EDHC機構及び純粋NBTIの和と一致した。

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  *CMOS構造 ,  *ディジタル集積回路 ,  *信頼性 ,  加熱 ,  *熱安定性 ,  キャリア注入 ,  *MOSFET ,  リング発振器
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  NBTI

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： DC ,  ホットキャリア ,  Ac