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J-GLOBAL ID：201002254065245200   整理番号：10A0863959

ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製

Low temperature of deposition of ZrN_x film using radical reaction

著者 (5件)： 佐藤勝 (北見工大) ,  武山真弓 (北見工大) ,  早坂祐一郎 (東北大 金属材料研) ,  青柳英二 (東北大 金属材料研) ,  野矢厚 (北見工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 154(CPM2010 31-41)  ページ： 29-34  発行年： 2010年07月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 3次元実装によるSi-ULSIの集積度の向上に必要なSi貫通ビア配線に適用可能な低温での拡散バリヤの新たな成膜手法として,スパッタ法にラジカル反応を応用した新たな手法を提案してきた。本研究では,その手法を用いて基板加熱なしの200°C以下の低温プロセスで,ZrN_x膜を作製し,その特性を評価した。その結果ZrN_x膜は反応性スパッタ法により得たZrN_x膜に遜色ない良好な特性と有効なバリヤ特性が得られることが知られた。(著者抄録)

シソーラス用語： ラジカル反応 ,  *キャラクタリゼーション ,  *超LSI ,  配線 ,  *拡散障壁 ,  半導体プロセス ,  窒化 ,  ジルコニウム ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： Si基板 ,  *ULSI ,  *拡散バリヤ ,  低温プロセス ,  特性評価

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• MOORE, Gordon E. Electronics. 1965, 38
• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm
• TOMINAGA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 05FG01
• TAKEYAMA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 4027-4033
• TAKEYAMA, M. B. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 05FA06

タイトルに関連する用語 (4件)： ラジカル反応 ,  応用 ,  低温 ,  作製