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J-GLOBAL ID：201002254346242919   整理番号：10A1093132

三元カルコゲン化物TlBiSe₂におけるDiracコーントポロジカル表面状態の直接証拠

Direct Evidence for the Dirac-Cone Topological Surface States in the Ternary Chalcogenide TlBiSe₂

著者 (7件)： SATO Takafumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SEGAWA Kouji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GUO Hua (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWARA Katsuaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SOUMA Seigo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ANDO Yoichi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 105  号： 13  ページ： 136802.1-136802.4.  発行年： 2010年09月24日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *セレン化物 ,  タリウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  化合物半導体 ,  *絶縁材料 ,  *表面準位 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  バンド構造 ,  Brillouin帯 ,  室温 ,  バンドギャップ ,  結晶構造 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： Diracコーン ,  *表面状態 ,  ARPES

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： カルコゲン化物 ,  Diracコーン ,  トポロジカル表面状態 ,  証拠